TRANS DUAL PNP/NPN EMT6

Rohm Semiconductor

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA，500mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):47k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):47k,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA,电流 - 集电极截止（最大值）:500nA,频率 - 跃迁:250MHz，260MHz,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563，SOT-666,供应商器件封装:EMT6

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